Forschende entwickeln neuen Germanium-Zinn-Transistor als Alternative zu Silizium

Wissenschaftler des Forschungszentrums Jülich haben einen neuartigen Transistor aus einer Germanium-Zinn-Legierung gefertigt, der gegenüber herkömmlichen Schaltelementen einige Vorteile aufweist. Ladungsträger können sich in dem Material schneller bewegen als in Silizium oder Germanium, was niedrigere Spannungen im Betrieb möglich macht. Der Transistor ist ein vielversprechender Kandidat für künftige Low-Power- und High-Performance-Chips und könnte sich als nützlich für die Entwicklung von Quantencomputern erweisen. An der Entwicklung waren die JARA-FIT Wissenschaftler Prof. Detlef Grützmacher und Prof. Joachim Knoch beteiligt.

Weitere Informationen unter: https://www.fz-juelich.de/de/aktuelles/news/pressemitteilungen/2023/juelicher-forschende-entwickeln-neuen-germanium-zinn-transistor-als-alternative-zu-silizium