Batterie und Datenspeicher zugleich Resistive Speicherzellen (ReRAM) gelten als vielversprechende Lösung für künftige Generationen von Computerspeichern.
Am 17. Januar 2013 wurde die neue Sektion JARA-FAME mit einem Festakt offiziell eingeführt. Vor rund 250 Gästen sprach der Nobelpreisträger Prof. Samuel C. C. Ting vom MIT zur Eröffnung über das AMS Experiment auf der ISS.
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