Poster (Other)
Su, Y. ; Schweika, W. ; Ioffe, A. ; Brückel, T.
DNS - A versatile diffuse neutron scattering spectrometer with polarization analysis at FRM II
Deutsche Neutronenstreutagung, Bonn, Germany, 09/24/2012 - 09/24/2012 (2012)

Journal Article
Heedt, S. ; Morgan, C. ; Weis, K. ; Bürgler, D. E. ; Calarco, R. ; Hardtdegen, H. ; Grützmacher, D. ; Schäpers, T.
Electrical Spin Injection into InN Semiconductor Nanowires
Nano letters 12(9), 4437 - 4443 (2012) [10.1021/nl301052g]  GO

Journal Article
Nichau, A. ; Schnee, M. ; Schubert, J. ; Besmehn, A. ; Rubio-Zuazo, J. ; Breuer, U. ; Bernardy, P. ; Holländer, B. ; Mücklich, A. ; Castro, G. R. ; von Borany, J. ; Buca, D. M. ; Mantl, S.
Photoemission spectroscopy study of the lanthanum lutetium oxide∕silicon interface
The journal of chemical physics 138(15), 154709 - (2013) [10.1063/1.4801324]  GO

Conference Presentation (talk)
Finken, M. ; Holländer, B. ; Heuken, M. ; Kalisch, H. ; Vescan, A.
Untersuchungen zum Indiumeinbau und zur Relaxation in InGaN‐Schichten für die solareWasserstofferzeugung
27. DGKK-Workshop "Epitaxie von III/V-Halbleitern, Erlangen, germany, 12/06/2012 - 12/07/2012 (2012)

Journal Article
Biermanns, A. ; Rieger, T. ; Bussone, G. ; Pietsch, U. ; Grützmacher, D. ; Lepsa, M. I.
Axial strain in GaAs/InAs core-shell nanowires
Applied physics letters 102(4), 043109 - (2013) [10.1063/1.4790185]  GO

Journal Article
Rieger, T. ; Heiderich, S. ; Lenk, S. ; Lepsa, M. I. ; Grützmacher, D.
Ga-assisted MBE growth of GaAs nanowires using thin HSQ layer
Journal of crystal growth 353(1), 39 - 46 (2012) [10.1016/j.jcrysgro.2012.05.006]  GO

Journal Article
Reuters, B. ; Finken, M. ; Wille, A. ; Holländer, B. ; Heuken, M. ; Kalisch, H ; Vescan, A.
Relaxation and critical strain for maximum In incorporation in AlInGaN on GaN grown by metal organic vapour phase epitaxy
Journal of applied physics 112(9), 093524 - (2012) [10.1063/1.4764342]  GO

Journal Article
Rieger,T. ; Luysberg, M. ; Schäpers, T. ; Grützmacher, D. ; Lepsa, M. I.
Molecular Beam Epitaxy Growth of GaAs/InAs Core-Shell Nanowires and Fabrication of InAs Nanotubes
Nano letters 12(11), 5559–5564 (2012) [10.1021/nl302502b]  GO

Journal Article
Brooks, C. M. ; Misra, R. ; Mundy, J. A. ; Zhang, L. A. ; Holinsworth, B. S. ; O'Neal, K. R. ; Heeg, T. ; Zander, W. ; Schubert, J. ; Musfeldt, J. L. ; Liu, Z. ; Muller, D. A. ; Schiffer, P. ; Schlom, D. G.
The adsorption-controlled growth of LuFe2O4 by molecular-beam epitaxy
Applied physics letters 101(13), 132907 (2012) [10.1063/1.4755765]  GO

Journal Article
Nichau, A. ; Rubio-Zuazo, J. ; Schnee, M. ; Castro, G. R. ; Schubert, J. ; Mantl, S.
Effective attenuation length for lanthanum lutetium oxide between 7 and 13 keV
Applied physics letters 102(3), 031607 - (2013) [10.1063/1.4789524]  GO

Neue Sektion JARA-FAME

Am 17. Januar 2013 wurde die neue Sektion JARA-FAME mit einem Festakt offiziell eingeführt. Vor rund 250 Gästen sprach der Nobelpreisträger Prof. Samuel C. C. Ting vom MIT zur Eröffnung über das AMS Experiment auf der ISS.

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